High Bandwidth Memory

High Bandwidth Memory (HBM) é uma interface de memória de computador para DRAM síncrona empilhada em 3D (SDRAM) inicialmente da Samsung, AMD e SK Hynix. É usada em conjunto com aceleradores gráficos de alto desempenho, dispositivos de rede, ASICs de alto desempenho, como cache no pacote ou RAM no pacote em CPUs, e FPGAs e em alguns supercomputadores (como o NEC SX-Aurora TSUBASA e o Fujitsu A64FX). O primeiro chip de memória HBM foi produzido pela SK Hynix em 2013, e os primeiros dispositivos a usar HBM foram as GPUs AMD Fiji em 2015. A HBM foi adotada pelo JEDEC como padrão da indústria em outubro de 2013. A segunda geração, HBM2, foi aceita pelo JEDEC em janeiro de 2016. O JEDEC anunciou oficialmente o padrão HBM3 em 27 de janeiro de 2022, e o padrão HBM4 em abril de 2025. Em 2025, os maiores fabricantes mundiais de HBM incluem SK Hynix, Samsung Electronics e Micron Technology. A TSMC produz o dado base para HBM e está planejada para ser a fundição para várias empresas de HBM em 2026. A HBM teve um aumento de demanda sem precedentes; e, em geral, o preço da DRAM (DDR4, DDR e memória flash/NAND) no início de 2026 "experimentou aumentos compostos, alguns excedendo 200%, desde o início de 2025 .. [devido a] demanda sem precedentes vinda do setor de IA .. A HBM está prejudicando a capacidade de DRAM de commodity. A Micron observou uma taxa de conversão de 3 para 1 entre a capacidade de wafer de HBM e DDR5, o que significa que cada aumento na HBM comprime diretamente o fornecimento de memória de uso geral."